RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1027–1033 (Mi phts4937)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

Н. Т. Баграевab, С. А. Кукушкинa, А. В. Осиповa, Л. Е. Клячкинb, А. М. Маляренкоb, В. С. Хромовab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые обнаружена электролюминесценция в среднем и дальнем ИК-диапазоне из наноструктур карбида кремния на кремнии, полученных в рамках холловской геометрии. Карбид кремния на кремнии был выращен методом согласованного замещения атомов на кремнии. Электролюминесценция из краевых каналов наноструктур индуцируется с помощью продольного тока исток-сток. Спектры электролюминесценции, полученные в терагерцовом частотном диапазоне, 3.4 и 0.12 ТГц, возникают вследствие квантового эффекта Фарадея. В рамках предлагаемой модели продольный ток индуцирует изменение числа квантов магнитного потока в краевых каналах, что приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале и, соответственно, к терагерцовому излучению.

Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, электролюминесценция, наноструктура, квантовый эффект Фарадея.

Поступила в редакцию: 12.07.2021
Исправленный вариант: 20.07.2021
Принята в печать: 20.07.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51556.9709



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024