Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины
Б. Е. Умирзаковab,
С. Б. Донаевa,
Р. М. Ёркуловb,
Р. Х. Ашуровb,
В. М. Ротштейнb a Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
b Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У. Арифова, г. Ташкент, Академгородок
Аннотация:
Изучены состав, морфология, электронная структура нанопленки SiO
$_{2}$ разной толщины, созданной термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30–40
$\mathring{\mathrm{A}}$ пленка имеет островковый характер. При
$d\ge$ 60
$\mathring{\mathrm{A}}$ формируется однородная сплошная пленка SiO
$_{2}$, стехиометрическая шероховатость поверхности которой не превышает 1.5–2 нм. Независимо от толщины пленок SiO
$_{2}$ заметная взаимодиффузия атомов на границе SiO
$_{2}$–Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степень покрытия поверхности, энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO
$_{2}$/Si(111) в пределах от 20 до 120
$\mathring{\mathrm{A}}$.
Ключевые слова:
термическое окисление, нанофазы, нанопленки, плазменное колебание, шероховатость поверхности, оже-пики, рамановские спектры, оптически-фононная мода, островковый рост.
Поступила в редакцию: 07.04.2021
Исправленный вариант: 21.06.2021
Принята в печать: 06.07.2021
DOI:
10.21883/FTP.2021.11.51559.9661