А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11,страницы 1077

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs

А. А. Лазаренко^a, К. Ю. Шубина^a, Е. В. Никитина^ab, Е. В. Пирогов^a, А. М. Мизеров^a, М. С. Соболев^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследуется влияние быстрого термического отжига тройных твердых растворов GaAs$_{1-x}$N$_{x}$/GaAs на распределение атомов азота в кристаллической решетке. Образцы исследуются методами фотолюминесценции и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Из-за несоответствия размеров и электроотрицательности атомов азота и мышьяка, азот встраивается неравномерно в кристаллическую решетку GaAs. Показаны варианты расположения атомов азота в кристаллической решетке GaAs до и после быстрого термического отжига.

Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитксия, арсенид галлия, азот.

Поступила в редакцию: 08.06.2021
Исправленный вариант: 21.06.2021
Принята в печать: 21.06.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51563.9697