Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP

На основании проведенных исследований разработаны и созданы фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения (длины волн $\lambda\approx$ 1.0–1.3 мкм) на основе гетероструктур InGaAsP/InP с эпитаксиальным $p$–$n$-переходом. Определены технологические режимы, позволяющие получать методом жидкофазной эпитаксии высококачественные слои четверных твердых растворов InGaAsP, изопериодных подложкам фосфида индия в широком диапазоне составов.