Аннотация:
Изучена зависимость скорости плазмохимического травления и шероховатости поверхности кратера арсенида галлия от концентрации хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) в смеси с хлором, мощности емкостного разряда и продолжительности процесса. Характеристики кратера травления GaAs исследованы методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что добавка C$_{2}$F$_{5}$Cl в составе хлорсодержащей индуктивно-связанной плазмы приводит к нелинейному изменению скорости травления арсенида галлия со временем, что можно объяснить пассивацией поверхности подложки на начальном этапе продуктами распада фреона. Наряду с этим существенно улучшаются характеристики профиля травления GaAs. Повышение мощности емкостного разряда способствует развитию шероховатости, при этом скорость травления возрастает нелинейно.