RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 837–840 (Mi phts4948)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия

А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Изучена зависимость скорости плазмохимического травления и шероховатости поверхности кратера арсенида галлия от концентрации хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) в смеси с хлором, мощности емкостного разряда и продолжительности процесса. Характеристики кратера травления GaAs исследованы методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что добавка C$_{2}$F$_{5}$Cl в составе хлорсодержащей индуктивно-связанной плазмы приводит к нелинейному изменению скорости травления арсенида галлия со временем, что можно объяснить пассивацией поверхности подложки на начальном этапе продуктами распада фреона. Наряду с этим существенно улучшаются характеристики профиля травления GaAs. Повышение мощности емкостного разряда способствует развитию шероховатости, при этом скорость травления возрастает нелинейно.

Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, индуктивно-связанная плазма, арсенид галлия.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51429.15


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:11, 865–868

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024