Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка

Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучено изменение структуры и элементного состава поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме. Показано, что в процессе отжига окисного слоя на поверхности формируется слой InP$_{1-x}$As$_{x}$, возникающий в процессе замещения фосфора мышьяком. Установлена зависимость степени замещения от температуры и времени отжига. При температуре отжига 480$^\circ$С степень замещения фосфора мышьяком в приповерхностном слое составляет 7%, при температуре 540$^\circ$С достигает 41%. Время отжига слабо влияет на степень замещения.