Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге

C применением просвечивающей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и методов рентгеновской дифракции выполнено исследование многослойных наноразмерных структур Al$_{2}$O$_{3}$/Ge/Si, полученных методом электронно-лучевого испарения и подвергнутых отжигу в диапазоне температур 700–900$^\circ$C. Показано, что после термообработки вплоть до наиболее высокой температуры 900$^\circ$C в образце сохраняется периодическая структура и удовлетворительная планарность слоев. При температуре отжига выше 700$^\circ$C в исходно аморфных слоях Ge имеет место формирование наноразмерных кристаллитов с бимодальным распределением по размерам. Размер мелких кристаллитов определяется толщиной слоя Ge и температурой отжига. Обнаружена существенная потеря Ge из многослойной структуры после отжига при 900$^\circ$C и образование в кристаллитах твердого раствора Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с $x$ до 0.07.