В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10,страницы 890

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP

В. А. Беляков^a, И. В. Макарцев^ab, А. Г. Фефелов^a, С. В. Оболенский^ab, А. П. Васильев^c, А. Г. Кузьменков^c, М. М. Кулагина^d, Н. А. Малеев^d

^a Акционерное общество Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs на подложке InP, обладающие удельной крутизной $\sim$ 1000 мСм/мм, обратным напряжением пробоя $>$ 10 В и предельной частотой усиления транзисторов по току 140 ГГц. Также были разработаны HEMT транзисторы на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs на подложке GaAs, выполненные по технологии двойной подзатворной канавки. Транзисторы демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну 520 мСм/мм и пробивное напряжение затвор-сток 14 В. Предельная частота усиления транзисторов по току 120 ГГц. Благодаря увеличенному пробивному напряжению разработанные транзисторы были использованы в монолитных интегральных схемах усилителей мощности миллиметрового диапазона длин волн с выходной мощностью $>$ 110 мВт.

Ключевые слова: транзистор, HEMT, GaAs, InP, двойная канавка.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51439.38