Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами

Электронные свойства пассивированных различными сульфидными растворами поверхностей $n$-InP(100) изучались с помощью методов фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что процесс пассивации приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции полупроводника, свидетельствующему о снижении скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации, сопровождаемому сужением приповерхностной области пространственного заряда и увеличением электронной плотности в анализируемом объеме полупроводника. Эффективность электронной пассивации поверхности $n$-InP(100) зависит от состава сульфидного раствора.