А. Е. Евдокимов, М. С. Кузнецова, А. В. Михайлов, К. В. Кавокин, Р. И. Джиоев, “Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9,страницы 738

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn

А. Е. Евдокимов^a, М. С. Кузнецова^a, А. В. Михайлов^a, К. В. Кавокин^a, Р. И. Джиоев^b

^a Санкт-Петербургский государственный университет, Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами.

Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51287.14