RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 743–747 (Mi phts4976)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов

А. С. Пузановab, В. В. Бибиковаab, И. Ю. Забавичевab, Е. С. Оболенскаяa, А. А. Потехинb, Е. А. Тарасоваa, Н. В. Востоковc, В. А. Козловc, С. В. Оболенскийab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ "НИИИС им. Ю.Е. Седакова", 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведен теоретический анализ деградации вольт-амперной характеристики и переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном неохлаждаемом GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие ионов мышьяка с энергией 200 МэВ, соответствующей линейной передаче энергии 26 МэВ $\cdot$ см$^{2}$/мг, сопоставляется с откликом на воздействие фемтосекундных импульсов оптического излучения длительностью 10 фс с длинами волн 870 и 670 нм.

Ключевые слова: диод Мотта, тяжелые заряженные частицы, фемтосекундный лазерный импульс.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51288.17


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:10, 780–784

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024