Физика и техника полупроводников,
2021, том 55, выпуск 9,страницы 743–747(Mi phts4976)
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
Аннотация:
Проведен теоретический анализ деградации вольт-амперной характеристики и переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном неохлаждаемом GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие ионов мышьяка с энергией 200 МэВ, соответствующей линейной передаче энергии 26 МэВ $\cdot$ см$^{2}$/мг, сопоставляется с откликом на воздействие фемтосекундных импульсов оптического излучения длительностью 10 фс с длинами волн 870 и 670 нм.