Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 12,страницы 2183–2187(Mi phts498)
Исследование глубоких уровней захвата в слоях
$a$-Se
А. Кубилюс, Бр. Петретис, В. И. Архипов, А. И. Руденко
Аннотация:
Проведено теоретическое и экспериментальное исследование
влияния энергетического спектра локализованных состоянии на кинетику
темнового спада потенциала слоев аморфного селена. Получены аналитические
выражения, описывающие временны́е зависимости потенциала слоя и скорости
его темновой релаксации для различных энергетических распределений плотности
глубоких локализованных состояний: моноэнергетического, однородного, а также
экспоненциально возрастающего и экспоненциально убывающего с ростом энергии.
Анализ представленных экспериментальных данных по кинетике темнового спада
остаточного потенциала слоя позволил сделать вывод о том, что глубокие
уровни захвата в слоях аморфного селена имеют плотность
${N_{t}\simeq2.6\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$ и распределены при энергиях,
бо́льших чем ${\mathcal{E}_{1}=0.835}$ эВ, по закону убывающей
экспоненты с характерной энергией ${\mathcal{E}_{0}\simeq0.06}$ эВ.