RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 12, страницы 2183–2187 (Mi phts498)

Исследование глубоких уровней захвата в слоях $a$-Se

А. Кубилюс, Бр. Петретис, В. И. Архипов, А. И. Руденко


Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование влияния энергетического спектра локализованных состоянии на кинетику темнового спада потенциала слоев аморфного селена. Получены аналитические выражения, описывающие временны́е зависимости потенциала слоя и скорости его темновой релаксации для различных энергетических распределений плотности глубоких локализованных состояний: моноэнергетического, однородного, а также экспоненциально возрастающего и экспоненциально убывающего с ростом энергии. Анализ представленных экспериментальных данных по кинетике темнового спада остаточного потенциала слоя позволил сделать вывод о том, что глубокие уровни захвата в слоях аморфного селена имеют плотность ${N_{t}\simeq2.6\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$ и распределены при энергиях, бо́льших чем ${\mathcal{E}_{1}=0.835}$ эВ, по закону убывающей экспоненты с характерной энергией ${\mathcal{E}_{0}\simeq0.06}$ эВ.



© МИАН, 2024