Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов

Представлены результаты исследований свойств слоев InGaN c высоким содержанием InN (80–90%), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями AlN/GaN. Формирование InGaN-слоев производилось методом модулирования потоков металлов (MME – metal modulated epitaxy), а также в азот- и металлобогащенных условиях. Обнаружено, что применение метода ММЕ приводит к снижению плотности прорастающих дислокаций в слоях InGaN. Тем не менее, несмотря на большую плотность дислокаций, наименьший порог стимулированного излучения $\sim$ 20 кВт/см$^{2}$ при 77 K был получен для слоя In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$N, выращенного в азотобогащенных условиях, что связывается с наименьшей фоновой концентрацией электронов в этом образце (1.6$\cdot$10$^{19}$ см$^{-3}$).