Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN

Представлено экспериментальное исследование, направленное на развитие метода спонтанного синтеза нитевидных нанокристаллов InGaN/GaN радиальной гетероструктуры при молекулярно-пучковой эпитаксии. Методами электронной микроскопии показано, что при содержании In $x$ = 0.4 и 0.04 в ядре и оболочке и размерах ядра может образоваться клиновидная трещина. На основе модели внутренних структурных напряжений предложена формула, позволяющая оценить критические размеры и состав для образования трещин в нитевидных нанокристаллах. Сопоставление оценок и экспериментальных данных морфологии дает хорошее согласие между собой.