Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te на Si(111)

Проведен подбор и оптимизация технологических параметров роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии тонких слоев Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te толщиной до 300 нм, выращенных на поверхности Si(111) при температурах 230–400$^\circ$C, изучена морфология поверхности полученных пленок, определены эпитаксиальные соотношения. Показано, что в зависимости от температуры роста морфология поверхности имеет вид от гладких островов микронного размера, имеющих на поверхности моноатомные ступени, до более узких террас.