Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb $p$-типа

Определена эффективность межзонной оже-рекомбинации с возбуждением дырок в спин-орбитально отщепленную валентную зону (GHSH-процесса) в кристаллах GaSb $p$-типа в широких интервалах легирования и температур. С этой целью были измерены времена жизни фотоэлектронов, а также прослежено изменение с легированием интенсивностей линий люминесценции, обусловленных рекомбинацией электронов с равновесными дырками в верхних валентных подзонах и с оже-дырками в отщепленной зоне. Полученные данные позволили выделить безызлучательные времена жизни $\tau_{nR}$, связанные с CHSH-процессом, и найти значения оже-коэффициента ${C_{p}=1/\tau_{nR}p^{2}}$.
Найденные значения $C_{p}$ свидетельствуют о достаточно высокой точности последних теоретических рассмотрений GHSH-процесса в GaSb. В практически важном интервале концентраций дырок ${10^{18}{-}10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ значения оже-коэффициента составляют ${2\cdot 10^{-29}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ при 77 K и ${6\cdot 10^{-30}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ при 300 K.