Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

Представлены результаты исследований вольтамперных и вольтфарадных характеристик, спектральной и интегральной чувствительности, шумовых характеристик диодных структур в твердых растворах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ в температурном интервале ${85\div300}$ K. Из анализа ВАХ и ВФХ установлены механизм протекания тока в диодах, закон распределения легирующей примеси в ОПЗ, высота потенциального барьера. Показано, что при низких температурах для ${V_{\text{пр}}\gg kT/q}$ преобладает генерационно-рекомбинационный механизм протекания тока, а при малых смещениях наблюдаются избыточные токи, определяемые межзонным туннелированием, которые обусловлены флуктуацией легирующей примеси в ОПЗ. Из спектральных зависимостей определены ширина запрещенной зоны полупроводника $E_{g}$ (${E_{g}=0.36}$ эВ при ${T=85}$ K), температурный коэффициент изменения $E_{g}$ (${2.7\cdot10^{-4}}$ эВ/K) и длина диффузионного смещения электронов в $p$-области (${L_{n}=3}$ мкм при ${T=85}$ K). Шумы в InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$-фотодиодах в режиме без смещения определяются дифференциальным сопротивлением $R_{0}$. Показано также, что изменение интегральной чувствительности в основном определяется температурным ходом $R_{0}$.