RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 537–540 (Mi phts5006)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd

А. С. Алекперовa, А. О. Дашдемировa, Т. Г. Нагиевb, С. Г. Джабаровab

a Азербайджанский государственный педагогический университет
b Азербайджанский государственный экономический университет

Аннотация: Исследован эффект термопереключения слоистого монокристалла GeS : Nd в широком температурном интервале ($T$ = 80–350 K). Изучено влияние $\gamma$-облучения при разных дозах (30 и 100 крад) на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd. Установлено, что после $\gamma$-облучения в малых дозах, с образованием упорядоченной структуры, в кристалле GeS : Nd эффект термопереключения не обнаруживается. С увеличением дозы $\gamma$-облучения до 100 крад происходит деградация структуры, в результате кристалл теряет фоточувствительность, эффект термопереключения не обнаруживается.

Ключевые слова: монокристалл, $\gamma$ -облучение, термопереключение, фазовый переход, низкоомное состояние, наноструктура, редкоземельный элемент.

Поступила в редакцию: 17.03.2021
Исправленный вариант: 22.03.2021
Принята в печать: 22.03.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51011.9649


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:6, 574–577

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024