RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 550–553 (Mi phts5008)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, О. В. Феклисоваb, Е. Б. Якимовb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследована фотолюминесценция в кремнии, деформированном методом четырехточечного изгиба при температуре 600$^\circ$С. С обеих сторон деформированных образцов наблюдаются так называемые линии дислокационной люминесценции D1, D2, D3 и D4. Обнаружено, что для образцов с плотностью введенных дислокаций $\sim$ 10$^{7}$ см$^{-2}$ интенсивность люминесценции линий D3 и D4 одинаковая с обеих сторон образцов, а интенсивности линий D1 и D2 со стороны растяжения выше, чем со стороны сжатия. Поведение интенсивности линий D1 и D2 хорошо коррелирует с количеством следов за дислокациями. Обсуждаются возможные причины наблюдавшегося эффекта.

Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, метод четырехточечного изгиба.

Поступила в редакцию: 17.03.2021
Исправленный вариант: 25.03.2021
Принята в печать: 25.03.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51014.9651


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:7, 633–636

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024