RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 602–606 (Mi phts5016)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором

А. В. Бабичевa, Е. С. Колодезныйa, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовb, Г. В. Вознюкac, М. И. Митрофановc, Н. Ю. Харинd, В. Ю. Паневинd, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, В. П. Евтихиевc, Л. Я. Карачинскийace, И. И. Новиковace, Н. А. Пихтинc, А. Ю. Егоровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследований квантово-каскадных лазеров с поверхностным выводом излучения через дифракционную решетку, сформированную в слоях верхней обкладки волновода методом ионно-лучевого травления. Активная область гетероструктуры лазера была сформирована на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As с двухфононным опустошением нижнего уровня в каскаде. Для лазера с диаметром кольцевого резонатора 191 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре вблизи 7.9 мкм. Величина межмодового расстояния в спектрах генерации данного типа лазеров соответствует модам шепчущей галереи.

Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, кольцевой резонатор.

Поступила в редакцию: 04.03.2021
Исправленный вариант: 12.03.2021
Принята в печать: 12.03.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51026.9644


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:7, 591–594

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024