Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов

Выполнены исследования инфракрасных светодиодов с длиной волны излучения 850 нм на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с брэгговским отражателем и дополнительным “отражающим” слоем Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As, обеспечивающими снижение внутренних оптических потерь генерируемого излучения. Разработана постростовая технология формирования фронтальных полосковых омических контактов и текстурирования световыводящей поверхности, позволившая снизить омические потери и увеличить эффективность вывода излучения из кристалла. Внешний квантовый выход светодиодов с двумя внутренними отражателями и текстурированием составил $>$ 9% в диапазоне токов 0.1–1.4 А.