Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å

Методом рентгеновского фотоэмисснонного анализа, включающим угловое сканирование рентгеновского пучка относительно поверхности образца, исследовано распределение профиля состава на границах гетероструктур InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs, изготовленных модифицированным методом жидкостной эпитаксии.
Установлено, что главным механизмом образования переходных слоев является стравливание расплавом части подложечного слоя, предшествующее началу роста последующего слоя гетероструктуры. При условиях эпитаксии, обеспечивающих превышение скорости роста над скоростью растворения, регистрируемая протяженность переходных слоев в исследуемых гетероструктурах не превышает 20 Å.