Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$

Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях халькогенидной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$. Обнаружены степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с увеличением температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с энергией активации $E_{a}$=(0.64 $\pm$ 0.02) эВ. Полученные результаты объясняются в рамках модели проводимости в неупорядоченных системах СВН (correlated barrier hopping). Рассчитанная доля неподеленных электронных пар указывает на то, что при введении железа материал остается в стеклообразующей области.