Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

Представлена оценка пороговых условий и эффективности работы полупроводникового лазерного излучателя с большим прямоугольным резонатором (1 $\times$ 1 мм) на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs для мощных полосковых лазеров, работающего на высокодобротных замкнутых модовых структурах. Предложены два варианта конструкции излучателей с различными характеристиками областей распространения лазерного излучения и показана возможность достижения дифференциальной эффективности, характерной для мощных полосковых лазеров, $>$ 70%.