Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Работа посвящена исследованию пространственной динамики процесса включения лазера-тиристора на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонкой $p$-базой. Предложенная гетероструктура имела модифицированную базу с подлегированным слоем рядом с $n$-эмиттером, позволяющим повысить рабочие напряжения для работы в режиме генерации наносекундных длительностей. В лазер-тиристорных импульсных источниках на основе рассмотренной гетероструктуры показана значительная локализация областей протекания тока, возникающих при переключении прибора из закрытого состояния в открытое. С помощью визуализации свечения областей локализации тока проведена оценка динамики распространения включенного состояния. Также оценены предельные размеры анодного контакта, необходимые для создания импульсного токового ключа и лазерного излучателя наносекундного диапазона на его основе.