RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 326–330 (Mi phts5052)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния

С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочноземельных металлов и атомов подгруппы кислорода на С- и Si-гранях 3$C$- и 4$H$-политипов SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в переход заряда между адатомами и подложками, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.

Ключевые слова: адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.

Поступила в редакцию: 30.10.2020
Исправленный вариант: 14.11.2020
Принята в печать: 14.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50733.9548


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:4, 399–404

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024