RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 344–348 (Mi phts5055)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции

И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Были разработаны полупроводниковые лазеры с латеральным волноводом мезаполосковой конструкции шириной 10 мкм и исследованы их излучательные характеристики. Показано, что непрерывная оптическая мощность для лазеров с длиной резонатора 4.6 мм достигает 2.6 Вт при температуре теплоотвода 25$^\circ$C. Лазеры с меньшей длиной резонатора ($<$ 3 мм) демонстрировали меньшее значение максимальной оптической мощности, что было связано с тепловым насыщением ватт-амперной характеристики.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, излучательные характеристики, оптическая мощность, тепловое насыщение.

Поступила в редакцию: 01.12.2020
Исправленный вариант: 10.12.2020
Принята в печать: 10.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50736.9565


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:4, 455–459

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024