Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски

Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов $<$ 100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10$\bar1$1) с противонаправленными осями симметрии $\mathbf{c}$. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси $\mathbf{c}$ слоя полуполярного GaN(10$\bar1$1), причем направление $\mathbf{c}$ в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N$_{2}$$^{+}$ на поверхность кремния при образовании наномаски.