Аннотация:
Показано влияние относительного расположения магнетрона и подложки на электрические и оптические свойства формирующегося слоя оксида индия-олова (ITO). Рассмотрены причины данного поведения и показана роль кислорода в возникновении неоднородности свойств пленок ITO. Показано, что в режиме роста без дополнительного добавления кислорода удельное сопротивление пленок ITO различается на порядок ((2–14)$\cdot$10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см) при различном расположении подложки на подложкодержателе вдоль радиуса в диапазоне 0–14 см. На спектрах поглощения при этом наблюдаются различия в форме коротковолновой области спектра. Добавление незначительного (0.1 ст. см$^{3}$/мин) количества кислорода в рабочую камеру в процессе роста оксида приводит к значительному повышению однородности электрических и оптических свойств ITO.