Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$

Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO$_{2}$, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In$^{+}$ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO$_{2}$ при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In–As в соседних замещающих положениях в матрице SiO$_{2}$.