RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 241–250 (Mi phts5065)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии

М. Л. Орловa, Л. К. Орловbc

a Нижегородский Институт Управления при президенте Российской Федерации, филиал РАНХиГС, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Для двумерной квантовой сверхрешетки с негармоническим законом дисперсии электронов изучены анизотропия проводимости и вид вольт-амперной характеристики для различных относительно осей сверхрешетки направлений тока и прикладываемого к структуре поля. Для разных режимов протекания тока обсуждаются анизотропия характеристик и условия появления многозначных вольт-амперных характеристик. Показано, что отклонение закона дисперсии электронов в двумерной квантовой сверхрешетке от гармонического в сильном постоянном электрическом поле оказывает заметное влияние на вид вольт-амперных характеристик двумерной квантовой сверхрешетки. Появление в сильном поле нескольких всплесков тока связано как с перемешиванием линий тока для ортогональных относительно прикладываемого поля направлений, так и с транспортом электронов по уровням штарковских лестниц, формируемых в разных долинах мини-зоны.

Ключевые слова: двумерные сверхрешетки, неассоциативный закон дисперсии, анизотропия, постоянное электрическое поле, вольт-амперная характеристика, штарковские состояния.

Поступила в редакцию: 09.03.2020
Исправленный вариант: 14.09.2020
Принята в печать: 26.10.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50602.9393


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:3, 319–327

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024