Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs

Исследована температурная зависимость анизотропии магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, находящихся в состоянии ферромагнитного упорядочения. Показано, что в исследуемых слоях наблюдается анизотропия отрицательного магнетосопротивления, не связанная с наличием одноосной анизотропии и ориентацией оси жесткого намагничивания. Данная анизотропия может быть связана с наличием в слое GaMnAs пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста.