Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

Исследованы вхождение и активация мышьяка из трис-диметиламиноарсина в слои CdTe, выращенные методом химического осаждения из паров диметилкадмия и диизопропилтеллура на подложках GaAs. Вхождение мышьяка в CdTe зависит от кристаллографической ориентации слоев и увеличивается в ряду (111)B$\to$(100)$\to$(310). Концентрация мышьяка в слоях CdTe пропорциональна потоку трис-диметила-миноарсина в степени 1.4 и увеличивается при уменьшении соотношения диизопропилтеллур/диметилкадмий с 1.4 до 0.5. После осаждения слои CdTe:As имели $p$-тип проводимости с концентрацией мышьяка и дырок 10$^{17}$–7$\cdot$10$^{18}$ и 2.7$\cdot$10$^{14}$–4.6$\cdot$10$^{15}$ см$^{-3}$ соответственно, доля электрически активного мышьяка не превышала $\sim$ 0.3%. После отжига в аргоне (250–450$^\circ$C) максимальная концентрация дырок и доля электрически активного мышьяка составили 1$\cdot$10$^{17}$ см$^{-3}$ и $\sim$ 4.5% соответственно. Энергия ионизации мышьяка, определенная из температурной зависимости концентрации дырок, лежит в интервале 98–124 мэВ. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев проявляется пик с энергией $\sim$ 1.51 эВ, который отнесен к донорно-акцепторной рекомбинации, где акцептором является As$_{\mathrm{Te}}$ с энергией ионизации $\sim$ 90 мэВ.