RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 16–23 (Mi phts5091)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре

Н. А. Торховabc

a Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
c Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия

Аннотация: Формирование методами атомно-силовой микроскопии на кремниевых поверхностях участков с принудительно измененными одноименными зарядовыми состояниями позволило наблюдать при комнатных температурах когерентные и некогерентные стабильные электронные квантовые объекты. В рамках теории запутанных состояний были определены условия их взаимодействия между собой, объяснены эффекты квантовой экранировки и квантовые интерференционные эффекты между такими объектами.

Ключевые слова: кремний, поверхность, когерентные квантовые состояния, квантовая экранировка, квантовая интерференция, запутанные состояния.

Поступила в редакцию: 06.05.2020
Исправленный вариант: 24.08.2020
Принята в печать: 27.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50378.9423


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:1, 14–20

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024