Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si

Целью работы являлось исследование влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на $c$-Si, на оптические свойства эпитаксиального слоя GaAs, выращенного методом МОС-гидридной эпитаксии. Впервые показано, что низкотемпературный рост высококачественных эпитаксиальных пленок GaAs может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя, а также достичь хороших оптических характеристик слоя. Проведены исследования полученных гетероструктур GaAs/Si методами рамановской спектроскопии, фотолюминесценции, спектроскопии оптического пропускания-отражения. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики и технологии интегрированных гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/Si, способствуя их применению в устройствах оптоэлектроники.