Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения $\gamma$-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов

Исследованы вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов до и после облучения $\gamma$-квантами энергией 1.25 МэВ и дозой облучения 0.5 МРад. Установлено, что обратные токи определяются механизмом Пула–Френкеля в сильном электрическом поле с влиянием электрон-фононного взаимодействия. Разработана методика и рассчитаны параметры электрон-фононного взаимодействия, описываемого конфигурационной однокоординатной моделью, из обратных вольт-амперных характеристик. Сделано предположение, что в результате облучения $\gamma$-квантами образуются центры дивакансии кремния с кислородом, которые и определяют обратные токи фотодиодов.