RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1331–1335 (Mi phts5107)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей

В. В. Романовa, В. А. Кожевниковa, В. А. Машковa, Н. Т. Баграевab

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Развит формализм статистического подхода к описанию осцилляций де Гааза–ван Альфена, известного как формула Лифшица–Косевича, применительно к низкоразмерной системе с зависящей от внешнего магнитного поля эффективной массой носителей. Статистический подход позволяет провести более детальную интерпретацию полученных в эксперименте результатов и провести анализ взаимосвязи обнаруженной нами зависимости эффективной массы носителя с индивидуальными особенностями структуры кремниевого наносандвича, обусловленными формированием в его составе negative-U $\delta$-барьеров.

Ключевые слова: формула Лифшица–Косевича, эффект де Гааза-ван Альфена, кремниевый наносандвич, эффективная масса, размерное квантование.

Поступила в редакцию: 23.07.2020
Исправленный вариант: 03.08.2020
Принята в печать: 03.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50233.9493


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1593–1597

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024