Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников

Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур $n$-4$H$-SiC, представляющих высоколегированную $n^{+}$-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне $N_{d}-N_{a}$ = (1–50) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников.