RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1197–1202 (Mi phts5120)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния

С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на С- и Si-гранях политипов 3$C$-, 6$H$- и 4$H$-SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в формирование заряда адатома, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.

Ключевые слова: адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.

Поступила в редакцию: 20.03.2020
Исправленный вариант: 01.07.2020
Принята в печать: 13.07.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50086.9391


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:11, 1410–1416

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024