М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11,страницы 1219

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода

М. С. Афанасьев^a, Д. А. Белорусов^a, Д. А. Киселев^ab, А. А. Сивов^a, Г. В. Чучева^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST 80/20) синтезированы на кремниевой подложке методом высокочастотного распыления поликристаллической мишени. Представлены результаты исследований состава пленок, электрофизических свойств конденсаторных структур на их основе и зависимости этих свойств от материала верхнего электрода (Al, Cu, Ni, Cr).

Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, микроструктура, электрофизические свойства.

Поступила в редакцию: 08.06.2020
Исправленный вариант: 13.07.2020
Принята в печать: 13.07.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50091.9461