Сравнительные объемные и поверхностные свойства полупроводниковых твердых растворов систем InB$^\mathrm{V}$–ZnS

В одинаковых условиях изучены объемные (кристаллохимические, структурные) и поверхностные (кислотно-основные) свойства полупроводниковых твердых растворов систем InB$^\mathrm{V}$–ZnS, отличающихся бинарными компонентами A$^\mathrm{III}$B$^\mathrm{V}$ (InP, InAs). Установлены и обоснованы закономерности изменений изученных свойств с составом, которые носят преимущественно статистический (плавный) характер в системе InP–ZnS и с экстремальными проявлениями в системе InAs–ZnS. Исходные (экспонированные на воздухе) поверхности твердых растворов, как и бинарных компонентов систем, имеют слабокислый характер (pH$_{\operatorname{iso}}<$ 7), что позволяет говорить об их повышенной активности по отношению к основным газам. Высказаны и подтверждены соображения о природе активных (кислотно-основных) центров. Установлена связь между поверхностными и объемными свойствами твердых растворов, открывающая возможности прогнозирования и менее затратного поиска новых, эффективных материалов для полупроводникового газового анализа без трудоемких исследований поверхностных свойств.