RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1004–1010 (Mi phts5131)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты

Л. Н. Маскаеваab, В. М. Юркa, В. Ф. Марковab, М. В. Кузнецовc, В. И. Воронинd, О. А. Липинаc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии с элементным анализом, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы тонкие пленки PbSe, полученные гидрохимическим осаждением с использованием в качестве антиоксиданта селеномочевины аскорбиновой кислоты. Изучено влияние температуры отжига на их элементный, фазовый состав, параметры кристаллической решетки, морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства. Установлено, что после отжига при 633–683 K пленки содержат в своем составе примесные фазы PbSeO$_{3}$, PbSeO$_{4}$, PbI$_{2}$. Определена оптическая ширина запрещенной зоны $E_{g}$ слоев при непрямом и прямом переходах. Показано, что по своим пороговым фотоэлектрическим характеристикам осажденные пленки сопоставимы с известными коммерческими образцами и могут быть использованы для создания высокочувствительных ИК-детекторов.

Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, селенид свинца, термосенсибилизация, фоточувствительные свойства.

Поступила в редакцию: 13.04.2020
Исправленный вариант: 16.04.2020
Принята в печать: 25.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49935.9411


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1191–1197

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024