Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения

При молекулярно-пучковой эпитаксии GaSe на подложках GaAs(001) на гетероинтерфейсе GaSe/GaAs возникают встроенные электрические поля, о наличии которых свидетельствуют наблюдаемые в спектрах фотоотражения осцилляции Франца–Келдыша. Различные значения напряженностей этих полей (от 9.8 до 17.6 кВ/см) могут быть связаны как с диффузией атомов Se в подложку (буферный слой) GaAs, так и c формированием при эпитаксиальном росте переходных субмонослоев. На интерфейсе структур, выращенных на подложках GaAs(111)B и GaAs(112), встроенные поля не наблюдаются, что может быть объяснено меньшей эффективностью проникновения Se в подложку с вышеуказанными ориентациями по сравнению с GaAs(001).