RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1029–1033 (Mi phts5134)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Показано, что описание дисперсионного транспорта ионов H$^{+}$ на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику образования поверхностных состояний в МОП-структурах после ионизирующего облучения. Проведено моделирование временных зависимостей плотности поверхностных состояний от толщины подзатворного диэлектрика, напряженности и полярности электрического поля. Показано, что кинетика образования поверхностных состояний определяется уровнями локализованных состояний ионов водорода в диапазоне 0.76–0.98 эВ, концентрацией ловушек как в объeме, так и в приграничной к подложке области SiO$_{2}$ и зависит от начального распределения ионов H$^{+}$.

Ключевые слова: дисперсионный транспорт, МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, моделирование.

Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 29.04.2020
Принята в печать: 22.05.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49938.9403


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1215–1219

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024