RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1041–1051 (Mi phts5136)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. И. Воронинc, Е. Э. Лекомцеваa, П. С. Богатоваa, В. Ф. Марковab

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Изучена эволюция морфологии, состава, структурных характеристик (постоянной решетки, микродеформаций, текстурированности), оптических и фотоэлектрических свойств пленок PbS, полученных гидрохимическим осаждением в присутствии иодида аммония и хлоридов стронция или бария при концентрации до 5 ммоль/л. По данным элементного EDX-анализа, содержание стронция в пленках PbS составляет 0.4–0.7 ат.%, а барий находится за пределом ошибки определения. Размер частиц, формирующих пленки, варьируется от $\sim$200 до $\sim$400 нм, а распределение частиц по размерам является мономодальным. Введение в реактор NH$_{4}$I и SrCl$_{2}$ или BaCl$_{2}$ сохраняет кубическую B1 структуру сульфида свинца, но приводит к немонотонному изменению параметра решетки, что связано с созданием дефектов типа вакансии или ионов внедрения. Введение солей стронция и бария не влияет на ширину запрещенной зоны, однако приводит к изменению интенсивностей примесных полос поглощения в глубине запрещенной зоны и вблизи дна зоны проводимости. Зависимость вольт-ваттной чувствительности пленок от концентрации солей стронция и бария в растворе носит экстремальный характер с максимумами при 0.05 и 0.1 ммоль./л соответственно.

Ключевые слова: сульфид свинца, тонкие пленки, кристаллическая структура, стронций, барий, оптические свойства, фоточувствительность.

Поступила в редакцию: 25.05.2020
Исправленный вариант: 08.06.2020
Принята в печать: 08.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49941.9448


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1230–1240

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024