Эта публикация цитируется в
3 статьях
Физика полупроводниковых приборов
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур
М. М. Соболев,
Ф. Ю. Солдатенков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней плавного высоковольтного Al
$_{x}$Ga
$_{1-x}$As
$p^{0}$–
$i$–
$n^{0}$-перехода, изготовленного методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Обнаруженные изменения вольт-фарадных характеристик в зависимости от температуры измерения и оптической подсветки продемонстрировали, что в исследуемых Al
$_{x}$Ga
$_{1-x}$As слоях
$p^{0}$-,
$i$-,
$n^{0}$-типа содержатся бистабильные DX-центры. В спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), измеренных при различных напряжениях смещения
$V_{r}$ и импульса заполнения
$V_{f}$, в
$n^{0}$-слое выявлен положительный DLTS-пик с энергией термической активации
$E_{t}$ = 280 мэВ и сечением захвата электронов
$\sigma_{n}$ = 3.17
$\cdot$10
$^{-14}$ см
$^{2}$, что является необычным для ловушки основных носителей. Этот пик связывается с отрицательно заряженным состоянием донорной примеси Se/Te, которое является бистабильным DX-центром с отрицательной энергией корреляции
$U$.
Ключевые слова:
AlGaAs, емкостная спектроскопия, DX-центр,
$p^{0}$–
$i$–
$n^{0}$-переход, жидкофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 27.04.2020
Исправленный вариант: 30.04.2020
Принята в печать: 18.05.2020
DOI:
10.21883/FTP.2020.10.49945.9419