Локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках (обзор)

Обсуждаются теоретические представления о центрах, создающих локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках. В последние годы в изучении этих центров был достигнут некоторый успех в связи с развитием концепции мягких атомных потенциалов. Удалось с единых позиций объяснить как отрицательность корреляционной энергии электронов, так и происхождение большого стоксова сдвига, наблюдаемого в экспериментах по фотолюминесценции. Однако ряд свойств стеклообразных полупроводников, связанных, по-видимому, с локализованными электронными состояниями, пока остается необъясненным.