RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1145–1149 (Mi phts5152)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии

К. А. Ковалевскийa, Ю. Ю. Чопороваbc, Р. Х. Жукавинa, Н. В. Абросимовd, С. Г. Павловe, H.-W. Hübersef, В. В. Цыпленковa, В. Д. Кукотенкоbc, Б. А. Князевbc, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
d Leibniz Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, German
e Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), 12489 Berlin, Germany
f Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany

Аннотация: Исследованы времена релаксации нижних $p$-состояний донора мышьяка в деформированном вдоль кристаллографического направления [111] кристалле германия. Измерения выполнялись методом накачка–зондирование с использованием излучения лазера на свободных электронах. Накачка состояний осуществлялась из основного состояния $1s(A_1)$. Измеренное время распада состояния $2p_{0}$ составляет 1.3 нс, $3p_{0}$ – не более 0.2 нс, $2p_\pm$ – 0.4 нс. Показано, что относительно высокий темп релаксации состояния 2p$_\pm$ обусловлен взаимодействием с внутридолинными TA фононами.

Ключевые слова: германий, мышьяк, одноосная деформация, накачка-зондирование, внутрицентровое оптическое возбуждение, фононы.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49959.41


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1347–1351

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024