RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 833–840 (Mi phts5157)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы

А. В. Бабичевa, С. А. Кадинскаяa, К. Ю. Шубинаa, А. А. Васильевa, А. А. Блохинbc, Э. И. Моисеевd, С. А. Блохинc, И. С. Мухинae, И. А. Елисеевc, В. Ю. Давыдовc, П. Н. Брунковc, Н. В. Крыжановскаяd, А. Ю. Егоровe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Представлены результаты экспериментов по созданию и изучению свойств фотодетекторных структур на основе монослойного графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы. В качестве базовой конструкции взята геометрия вертикального микрорезонатора Ta$_{2}$O$_{5}$ с нижним диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$ с резонансной длиной волны вблизи 850 нм. Проведена оптимизация условий переноса и формирования мез в слое графена на поверхности микрорезонатора. Диагностика кристаллического качества графена после формирования мез в слое графена и контактных площадок методом комбинационного рассеяния света свидетельствует о монослойности графена с низкой интенсивностью особенности в его спектре, отвечающей за дефектность структуры. Проведено измерение величины фототока при локальной оптической накачке.

Ключевые слова: фотодетекторные структуры, монослойный графен, микрорезонатор, меза.

Поступила в редакцию: 06.05.2020
Исправленный вариант: 12.05.2020
Принята в печать: 12.05.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49813.9422


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 991–998

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024