Исследование влияния $\gamma$-облучения на спектр глубоких уровней в кремнии, легированном цинком

Приведены результаты измерений нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в кремнии $n$- и $p$-типа проводимости. При облучении $\gamma$-квантами концентрация акцепторных уровней ${E_{v}+ 0.28}$ и ${E_{v}+0.62}$ эВ, которые приписываются атомам цинка в узлах решетки кремния, уменьшается пропорционально дозе облучения. Концентрация уровней ${E_{c}-0.47}$ эВ, которые связаны, по-видимому, с атомами цинка в междоузлиях, растет при малых дозах облучения и низкой начальной концентрации этого уровня. Рост насыщается с увеличением дозы облучения. Присутствие цинка мало сказывается на скорости образования радиационных дефектов в кремнии.